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  1. 紀要・論集・研究成果物
  2. 学部
  3. 旧短期大学
  4. 駒沢短期大学研究紀要
  5. 15

Si  半導体放射線検出器のためのイオン注入による接合面の形成

https://doi.org/10.69200/0002014342
https://doi.org/10.69200/0002014342
f467dd38-29de-49b8-a2a6-6717ccdf3530
名前 / ファイル ライセンス アクション
00012289.pdf KJ00005115338.pdf (619.8 KB)
Item type 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1)
公開日 2014-03-10
タイトル
タイトル Si  半導体放射線検出器のためのイオン注入による接合面の形成
言語 ja
著者 佐藤昌憲

× 佐藤昌憲

ja 佐藤昌憲

Search repository
言語
言語 jpn
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ departmental bulletin paper
ID登録
ID登録 10.69200/0002014342
ID登録タイプ JaLC
書誌情報 ja : 駒澤短期大学研究紀要
ja-Kana : コマザワ タンキ ダイガク ケンキュウ キヨウ

巻 15, p. 1-1, 発行日 1987-03
出版者
出版者 駒澤短期大学
言語 ja
ISSN
収録物識別子タイプ PISSN
収録物識別子 0286-6676
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AN00093825
レコードID
値 XC00411582
掲載誌情報
値 駒澤短期大学研究紀要15
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Ver.1 2024-10-15 02:57:35.685720
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